Yarı iletken elemanların eleman tabanı sürekli büyüyor. Bu alandaki her yeni buluş aslında elektronik sistemlerin tüm fikrini değiştiriyor. Devre tasarım yetenekleri değişiyor, bunlara dayalı yeni cihazlar ortaya çıkıyor. İlk transistörün icadından bu yana çok zaman geçti (1948). "p-n-p" ve "n-p-n" yapıları, bipolar transistörler icat edildi. Zamanla, bir elektrik alanının etkisi altında yüzeye yakın yarı iletken katmanın elektrik iletkenliğini değiştirme ilkesiyle çalışan MIS transistörü de ortaya çıktı. Bu nedenle, bu öğenin diğer adı field'dır.
MIS (metal-dielektrik-yarı iletken) kıs altması, bu cihazın iç yapısını karakterize eder. Gerçekten de kapısı, iletken olmayan ince bir tabaka ile drenaj ve kaynaktan izole edilmiştir. Modern bir MIS transistörünün kapı uzunluğu 0,6 µm'dir. İçinden yalnızca bir elektromanyetik alan geçebilir - yarı iletkenin elektrik durumunu etkileyen şey budur.
Bir FET'in nasıl çalıştığına bakalım ve temel farkının ne olduğunu öğrenelim.bipolar "kardeş". Gerekli potansiyel ortaya çıktığında kapısında bir elektromanyetik alan belirir. Drenaj kaynağı bağlantısının direncini etkiler. İşte bu cihazı kullanmanın bazı avantajları.
- Açık durumda, drenaj-kaynak geçiş direnci çok küçüktür ve MIS transistörü elektronik anahtar olarak başarıyla kullanılır. Örneğin, bir yükü şöntleyerek veya mantık devrelerine katılarak işlemsel bir yükselticiyi çalıştırabilir.
- Ayrıca cihazın yüksek giriş empedansı da dikkat çekicidir. Bu parametre, düşük akım devrelerinde çalışırken oldukça önemlidir.
- Drenaj kaynağı bağlantısının düşük kapasitansı, MIS transistörünün yüksek frekanslı cihazlarda kullanılmasını mümkün kılar. İşlem sırasında sinyal iletiminde bozulma olmaz.
- Elementlerin üretiminde yeni teknolojilerin gelişmesi, alan ve bipolar elemanların pozitif özelliklerini birleştiren IGBT transistörlerin yaratılmasına yol açmıştır. Bunları temel alan güç modülleri, yumuşak yolvericilerde ve frekans dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bu elemanları tasarlarken ve bunlarla çalışırken, MIS transistörlerinin devredeki aşırı gerilime ve statik elektriğe karşı çok hassas olduğu dikkate alınmalıdır. Yani, kontrol terminallerine dokunulduğunda cihaz arızalanabilir. Takarken veya sökerken özel topraklama kullanın.
Bu cihazı kullanma olasılığı çok iyi. Sayesindebenzersiz özellikleri, çeşitli elektronik ekipmanlarda geniş uygulama alanı bulmuştur. Modern elektronikte yenilikçi bir trend, endüksiyon devreleri de dahil olmak üzere çeşitli devrelerde çalışmak için güç IGBT modüllerinin kullanılmasıdır.
Üretimlerinin teknolojisi sürekli geliştirilmektedir. Deklanşörün uzunluğunu ölçeklendirmek (az altmak) için geliştirmeler devam ediyor. Bu, cihazın zaten iyi olan performansını artıracaktır.
